…Причём разработчики уже собирают его в микросхемы большего размера. Окажется ли преодолеть подтормаживание закона Мура?

Выстроена интегральная схема, действующий при потреблении всего 0,1 нВт, что на три порядка меньше, чем предшествующие образцы устройств на углеродных нанотрубках.

Смотрите кроме этого: Создан самый стремительный в мире транзистор на базе кремния и германия

При тестировании изделия в криогеннойкамерепри температуре около минус 269 градусов Цельсия удалось продемонстрировать итог практически в 800 ГГц. Исследователи из Технологического университета Джорджии (США) и Университета инновационной высокопроизводительной микроэлектроники (Германия) показали в действии самое быстродействующее устройство на базе кремния изо всех, когда-либо созданных человеком.Криогенная зондовая уст

а. Инвертер на углеродных нанотрубках по КМОП-технологии. b. Срез отдельного для того чтобы транзистора, включая затвор из никеля толщиной 25 нм, снабжающий устройству его рекордно низкое энергопотребление. (Тут и ниже иллюстрации Geier et al.)

Сама по себе схема — лишь начало. Исследователи во главе с Майклом Гейером (Michael L. Geier) из Северо-Западного университета (США) заявляют о том, что на её базе возможно строить громадные ультраэкономичные микросхемы, пригодные для применения в различных областях наноэлектроники.

Современные микросхемы имеют свыше миллиарда транзисторов, напоминают разработчики. Следовательно, любой из них необходимо питать, а также сверхмалые цифры потребления отдельного элемента не означают приемлемости уровня потребления в целом. В теории миллиарду транзисторов на новых трубках хватило бы всего 0,1 Вт — не большое количество, но всё равняется значительно.

Иначе, на нынешнем этапе как раз энергопотребление и сопутствующее ему тепловыделение считаются одним из основных препятствий для «реабилитации» закона Мура, потому, что с ростом тепловыделения предстоящая транзисторная экспансия преобразовывается в бессмыслицу.

Так вот, в новом транзисторе в момент ON либо OFF потребление равняется 0,1 нВт, а при переключении пиковое значение достигает 10 нВт, другими словами кроме того тут затраты энергии при больших нагрузках смогут быть большими, не смотря на то, что и заметно меньшими, чем в простых микросхемах.

Снимок атомно-силового микроскопа, показывающий плёнку с транзисторами на базе нанотрубок.

Дабы подтвердить возможность существования микросхем на углеродных нанотрубках, авторы создали на их базе инвертор — логический элемент И-НЕ и ИЛИ-НЕ. Помимо этого, на данный момент разрабатываются более сложные электронные компоненты — с каскадными логическими вентилями.

Отчёт об изучении размещён в издании Nano Letters.

Подготовлено по данным Phys.Org.

Создатель: Александр Березин

Увлекательные записи:

• Треть владельцев носимых устройств пользуется ими в течение полугода
• Tuls: набор инструментов размером с кредитную карту
• Учёные не нашли взаимосвязи между жестокими видеоиграми и проявлениями насилия в обществе

NANOtech. Часть 9. Углеродные нанотрубки