Samsung electronics начала массовое производство первых в отрасли чипов мобильной памяти lpddr4 плотностью 8 гбит

22 мая 2008

smart

Компания Samsung Electronics заявила о начале массового производства первых в отрасли микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 8 Гбит, выстроенных на базе 20-нм технологического процесса. Память LPDDR есть самый распространенным типом оперативной памяти среди мобильных устройств в мире.

Смотрите кроме этого: Apple iPhone 6S и LG G4 будут оборудованы памятью типа DDR4 от Samsung

Apple и LG подписали с Samsung многомиллиардные сделки на поставку модулей оперативной памяти нового поколения для собственных грядущих флагманов iPhone 6S и G4. Эта информация поступила из корейских СМИ, но не уточнятся, о памяти какого именно как раз типа идёт обращение. Сравнительно не так давно корейский производитель заявил о начале массового производства модулей памяти нового поколения DDR4 для мобильных устройств, выстроенных по 20-нм техпроцессу.

Кроме этого компания запустила в массовое производство комбинированные модули на 3 ГБ оперативной памяти DDR3 и 32 ГБ внутренней памяти.

«Приступая к серийному выпуску 20-нм микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 8 Гбит, каковые кроме того стремительнее, чем память типа DRAM для ПК и серверов, и наряду с этим потребляет значительно меньше энергии, мы вносим собственный вклад в своевременный запуск UHD и флагманских мобильных устройств с громадными экранами», – отметил Джу Сун Чой, аккуратный вице-президент по маркетингу и продажам памяти Samsung Electronics.

Новые кристаллы снабжают двукратный прирост в плотности и производительности если сравнивать с чипами LPDDR3 плотностью 4 Гбит, выпуск которых с применением 20-нанометровой технологии был освоен ранее. Новые кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит разрешают создавать микросхемы памяти LPDDR4 количеством 4 ГБ.

Новая память поддерживает скорость передачи данных 3200 Мбит/с в расчете на один вывод, что в два раза выше скорости простой памяти DDR3, установленной в ПК либо серверах, и разрешает применять ее для требовательных к быстродействию задач наподобие серийной фотосъемки с разрешением более 20 Мп и записи/воспроизведения видео разрешения 4К.

Благодаря сниженном до отметки 1,1 В напряжению питания, микросхемы LPDDR4 являются памятью с мельчайшим энергопотреблением, предназначенной для смартфонов, планшетов и высокопроизводительного сетевого оборудования. К примеру, при применения микросхемы количеством 2 ГБ, в которой упакованы 20-нм кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит, экономия энергии достигает до 40% если сравнивать с микросхемой того же количества, применяющей кристаллы LPDDR4 плотностью 4 Гбит.

Применив для линий ввода-вывода фирменную разработку LVSTL (low-voltage swing-terminated logic), компании Samsung удалось дополнительно уменьшить энергопотребление и в один момент обеспечить работу на более высоких частотах при низком напряжении питания.

Компания Samsung уже приступила к поставкам модулей памяти LPDDR4 количеством 2 и 3 ГБ, выстроенных на базе микросхем плотностью 8 и 6 Гбит соответственно. В начале 2015 года южнокорейский гигант собирается начать поставки модулей количеством 4 ГБ.

Источник: Samsung

Создатель: Владимир Скрипин