Скорость ОЗУ и энергонезависимость

Исследователи Столичного физтех университета (МФТИ) при участии сотрудников из Университета Небраски-Линкольна в Соединенных Штатах и Федеральной политехнической школы Лозанны во Франции создали базу для энергонезависимой памяти нового типа, владеющей скоростью оперативной памяти и талантливой сохранять данные в отсутствии электропитания, поведали CNews представители МФТИ.

«Человечество всегда увеличивает количество хранимой и обрабатываемой информации, что, согласно данным статистики удваивается каждые 1,5 года. Для ее хранения требуется все больше компьютерной памяти, в первую очередь энергонезависимой, другими словами таковой, которая хранит данные при отключении электропитания. Ученые по всему пробуют создать более стремительные и миниатюрные запоминающие устройства.

Идеалом была бы «универсальная» память, которая владеет быстротой оперативной памяти, количеством данных твёрдого диска и знергонезависимостью флешки», — заявили в МФТИ.

Сегнетоэлектрики в качестве базы

Исследователи изучают разные методы создания таковой памяти. Один из вариантов содержится в применении в качестве ее базы сегнетоэлектрика — вещества, владеющего спонтанной электрической поляризацией, которая возможно обращена приложением электрического поля.

Пленка оксида гафния, выращенная на кремниевой подложке

Одним из перспективных сегнетоэлектроков есть оксид гафния. До сих пор он употреблялся для хранения информации в разных устройствах, для которых не было каких-либо ограничений по габаритам. К тому же, для изготовления таких ячеек памяти употреблялись производственные разработки, хорошие от производства миниатюрных чипов.

Ячейка памяти на базе новейших технологий

Заслуга исследователей МФТИ и их зарубежных сотрудников пребывает в том, что им удалось вырастить сверхтонкую пленку оксида гафния (толщиной 2,5 нм) на кремниевой подложке, сохранив наряду с этим его сегнетоэлектрические особенности. Для роста пленки употреблялся способ атомно-слоевого осаждения, что популярен в производстве современных процессоров. Способ оптимален еще и тем, что разрешает растить функциональные слои в трехмерных структурах, отметили исследователи.

«Потому, что структуры из этого материала совместимы с кремниевой разработкой, возможно рассчитывать, что в скором времени конкретно на кремнии смогут быть созданы новые устройства энергонезависимой памяти с применением сегнетоэлектрических поликристаллических слоев оксида гафния», — пояснил CNews ведущий создатель изучения, заведующий лаборатории функциональных устройств и материалов для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич.

Возможность применения

Более того, ячейки памяти на базе сегнетоэлектрика в теории способны демонстрировать свойства мемристора — резистора с переменным сопротивлением, задаваемым величиной протекающего через него электрического тока. Мемристорные особенности являются нужным условием для электронных синапсов, каковые смогут быть использованы в разрабатываемых на данный момент нейроморфных совокупностях с принципиальной другой архитектурой вычислений, воспроизводящей принципы работы людской мозга, выделили в МФТИ.

Увлекательные записи:

• Российские госкомпании закупают по microsoft в обход санкций
• Российские изобретатели атаковали «м.видео» за продажу планшетов sony
• Российские разработчики научились «перепрограммировать» мозг человека с помощью облаков

Флешки будущего: Трехмерный алмазный чип с неограниченной памятью