Очередное достижение Samsung разрешит оснащать смартфоны, планшеты и другие мобильные компьютеры 4 Гб скоростной оперативной памяти.

Компания Samsung под самый занавес 2013 года заявила о разработке первых на рынке 8-гигабитных чипов памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4), рассчитанных на использование с мобильным устройствами.

Смотрите кроме этого: Кратко о новом: Samsung создала первый в мире 8-гигабитный модуль мобильной DRAM-памяти LPDDR4

Хороший сутки, Хабр!Samsung Electronics заявила о собственных удачах в разработке первого промышленного энергоэффективного 8-гигабитного модуля мобильной DRAM-памяти, соответствующего стандарту LPDDR4.Новая память производится на базе тех. процесса 20-нм класса и несет по одному гигабайту на кристалле, что есть самым высоким показателем плотности для DRAM-компонентов на сегодняшнем рынке.

Чипы оперативной памяти Samsung LPDDR4 DRAM (тут и ниже изображения производителя).

LPDDR4 является эволюционное развитие памяти LPDDR Mobile DRAM с маленьким энергопотреблением. Новые изделия предназначены для применения в разных портативных изделиях, в частности в планшетных компьютерах и высокопроизводительных смартфонах.

Samsung подчёркивает, что 8-гигабитные чипы LPDDR4 снабжают самые высокие в отрасли показатели плотности хранения информации, скорости передачи и энергетической эффективности данных. Так, если сравнивать с самыми быстродействующими на сегодня ответами LPDDR3 и DDR3 пропускная свойство подросла на 50%. Одновременно с этим при напряжении питания в 1,1 В расход энергии уменьшен на 40%, что свидетельствует увеличенное время независимой работы гаджетов от аккумуляторной батареи.

Чипы LPDDR4 изготавливаются по разработке «20-нанометрового класса». На деле это указывает производственные нормы от 20 до 30 нанометров. Микросхемы применяют интерфейс LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic); заявленная скорость передачи информации достигает 3 200 Мбит/с на вывод, что в два раза больше, чем у памяти прошлого поколения.

Объединяя четыре 8-гигабитных чипа LPDDR4, возможно создавать модули оперативной памяти ёмкостью 4 Гб. Для сравнения: планшеты класса и современные смартфоны high-end, такие как Samsung Galaxy Note 3, несут на борту не более 3 Гб ОЗУ.

Samsung подчёркивает, что повышение количества оперативной памяти разрешит улучшить отклик мобильных устройств на действия пользователей, реализовать новые функции управления, помощь дисплеев ультравысокого разрешения и пр.

По всей видимости, первые гаджеты, оборудованные 4 Гб ОЗУ, покажутся в 2014 году. Нельзя исключать, что такие устройства будут демонстрироваться на выставке электроники CES 2014, которая пройдёт с 7 по 10 января в Лас-Вегасе (Невада, США).

Подготовлено по данным Samsung.

Создатель: Владимир Парамонов

Увлекательные записи:

• Luxor 2: первый в мире фонарик с автофокусом
• Магазин jd.com попытался обмануть россиян, но не вышло
• Marvell создала 3-ядерный процессор для смартфонов и планшетов

Samsung i9300 замена микросхемы памяти (висит на логотипе Samsung)