К серийному выпуску готова память в 20 раз быстрее флэш

Соглашение о сотрудничестве

Китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), именующая себя одним из ведущих в мире производителей полупроводниковой продукции (пятое место в 2014 г., в соответствии с Gartner), первой среди вторых ратифицировала договор с американской Crossbar о лицензировании ее резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive Random Access Memory — RRAM).

В соответствии с совместному заявлению, SMIC будет производить на базе 40-нм техпроцесса блоки RRAM под заказ для их последующей интеграции клиентами в системы и «микроконтроллеры на чипе».

Как уверяют партнеры, клиенты легко с этим справятся. Дело в том, что ячейки RRAM интегрируются в стандартные CMOS-процессы между двумя железными полосами стандартной CMOS-подложки. Это разрешает помещать их на тот же кристалл, на котором находятся вычислительные ядра процессоров, аналоговые и RF-компоненты.

Партнеры рассчитывают, что RRAM отыщет использование в устройствах интернета вещей, носимых и планшетных компьютерах, разнообразной потребительской, промышленной и автомобильной электронике.

Компании не уточнили, удалось ли им отыскать первых клиентов.

К серийному выпуску готова память в 20 раз быстрее флэш
Память RRAM от Crossbar под микроскопом

История памяти RRAM

Идею RRAM еще в 1971 г. подал доктор наук Калифорнийского университета в Беркли Леон Чуа (Leon Chua). Он изобрел мемристор и внес предложение сделать его четвертым элементом электрической схемы — в дополнение к резистору, конденсатору и катушке индуктивности.

В 2008 г. исследователи из HP Labs сказали о состоятельности теории Чуа, доказав ее математическим методом и выстроив первый мемристор в собственной лаборатории. «Мы разгадали тайную десятилетий. Мемристор вправду существует», — заявили тогда в компании.

Hewlett-Packard дала памяти, складывающейся из мемристоров, наименование ReRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память со случайным доступом).

Память Crossbar

В 2013 г. о себе заявила калифорнийская компания Crossbar. Она представила собственную резистивную память, основанную на тех же мемристорах, но придумала для нее пара иную сокращение — RRAM.

В памяти Crossbar изменение величины сопротивления ячейки выполняется методом обратимого формирования токопроводящих нитей из атомов серебра в аморфном кремнии.

В компании объявили, что память RRAM разрешает вместить 1 ТераБайт данных в чип площадью 200 кв. мм, что сопоставимо с почтовой маркой; что она трудится в 20 раз стремительнее если сравнивать с NAND-памятью в том, что касается записи данных, и владеет на порядок громадным сроком работы.

Еще одно открытие

В 2010 г. исследователи HP Labs поняли, что мемристоры способны не только хранить эти, но и выполнять логические операции. Это разрешает верить, что устройства, созданные на их базе, смогут поменять сложившуюся парадигму обработки данных при помощи отдельного центрального процессора, разрешив в будущем делать подобные операции прямо на чипах, хранящих данные.

Сам изобретатель мемристоров Леон Чуа объявил, что их функционирование сходно с биологическим мозгом. «Отечественные мозги созданы из мемристоров. Сейчас у нас имеется элементы для неестественного мозга», — сообщил Чуа по окончании того, как совершил открытие.

Увлекательные записи:

КУПИЛ LAMBORGHINI HURACAN! ВЗЯЛИ ГОТОВЫЙ РЕСТОРАННЫЙ БИЗНЕС — РЕАЛЬНАЯ ЖИЗНЬ В ГТА 5 — СЕРИЯ 40


Комментарии и уведомления в настоящее время закрыты..

Комментарии закрыты.