Intel заявила о готовности первой среди производителей приступить к выпуску полупроводниковых чипов с трехмерными транзисторами. В корпорации этот ход именуют «революцией» за более чем 50-летнюю историю элементарной частицы электронного устройства.

Переход на 3D-структуру есть революционным событием, растолковали в Intel, поскольку до настоящего момента в массовой электронике употреблялись только планарные структуры. И это относится не только потребительской электроники, но и любых вторых областей — от медицинского оборудования до космических аппаратов.

«Ученые Intel снова изобрели транзистор, сейчас применяя третье измерение, — прокомментировал президент и исполнительный директор Intel Пол Отеллини (Paul Otellini). — Новая разработка разрешит задавать темп развития индустрии и увеличить горизонты закона Мура».

В соответствии с законом Мура — названным в честь одного из основателей Intel Гордона Мура (Gordon Moore), — число транзисторов в микросхемах удваивается каждые два года. Но с приближением к 22-нм технологической норме направляться данному правилу делается все сложнее, говорят в корпорации. Зная о грядущих трудностях, в 2002 г. инженеры научно-исследовательских лабораторий Intel изобрели разработку Tri-Gate.

Трехмерная структура Tri-Gate: управляющий ток протекает по трем поверхностям, вместо одного узкого канала в планарной структуре

Сущность предложенной разработке содержится в применении кремниевой подложки, из которой элементы как бы произрастают вверх, открывая управляющему току целых три поверхности, через каковые он может протекать, вместо одного узкого канала в двухмерных элементах. Это снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, в то время, когда он будет в открытом состоянии, и полностью блокирует поток в закрытом состоянии, снижая ток утечки и разрешая транзистору весьма скоро переходить из одного состояния в второе.

Трехмерные транзисторы Tri-Gate, изготовленные на базе 22-нм техпроцесса, смогут предложить максимум на 37% более высокую производительность в сравнении с простыми транзисторами, изготовленными на базе 32-нм техпроцесса. Наряду с этим чипы с новыми транзисторами смогут потреблять менее половины энергии, чем 32-нм чипы с двухмерной структурой, без понижения производительности, утверждают в Intel.

В корпорации уверены, что благодаря переходу на новую разработку они смогут следовать закону Мура в течение многих следующих лет. Помимо этого, в компании рассчитывают, что разработка Tri-Gate разрешит значительно снизить энергопотребление чипов Intel Atom для смартфонов, что, наконец, разрешит Intel выйти в сегмент карманной электроники.

Разработку трехмерных транзисторов в первый раз планируется применить в конце 2011 г. в массовом производстве процессоров Intel Core под кодовым заглавием Ivy Bridge. Эти процессоры будут выпускаться на базе 22-нм нормы. Потом разработку планируется внедрить в линейку Atom.

Увлекательные записи:

• Intel запустила ультрабуки второго поколения: обещано падение цен
• Интернет-продажи электроники переросли розницу
• Интернет в центральной азии: обычное средство связи или роскошь?

Биполярные транзисторы