Hp готовится к выпуску нового типа памяти, которая в 100 раз быстрее флэш

Компания Hewlett-Packard заявила о подписании соглашения о сотрудничестве с южнокорейской Hynix Semiconductor с целью коммерциализации нового элемента электрической цепи — мемристора. Об этом говорится в распространенном сейчас официальном заявлении.

В рамках достигнутых договоренностей стороны займутся совместной разработкой технологий производства и новых материалов мемристоров, каковые планируется воплотить в форме ReRAM (резистивной памяти сослучайным доступом). Помимо этого, созданные разработки останутся на вооружении Hynix в разработках и дальнейших исследованиях.

ReRAM – энергонезависимый тип памяти, отличающийся низким энергопотреблением. Ученые считают, что эта разработка в возможности может заменить NAND-память, которая на данный момент употребляется в сотовых телефонах, MP3-плеерах, другой электронике и цифровых камерах. ReRAM кроме этого может выступать в качестве универсального носителя — другими словами в роли постоянной и оперативной памяти (DRAM) в один момент.

По итогам опытов стало известно, что мемристорам требуется меньше энергии для работы, они стремительнее SSD и смогут сохранять данные при отключённом питании. Мемристор (memory resistor – «резистор памяти») был предложен в качестве четвертого главного элемента электросхемы доктором наук Университета Калифорнии в Беркли Леоном Чуа (Leon Chua) в 1971 г. и в первый раз реализован на практике разработчиками HP Labs, главного научно-исследовательского подразделениякомпании, в 2006 г.

Hp готовится к выпуску нового типа памяти, которая в 100 раз быстрее флэш
Ученые считают, что новая техология энергонезависимой памяти сможет со временем заменить NAND-память и DRAM

В начале 2010 г. исследователи HP Labs сказали об открытии, в соответствии с которому мемристоры также будут выполнять логические операции. Это разрешает верить, что устройствана основе мемристоров, смогут поменять сложившуюся парадигму обработки данных при помощи отдельного центрального процессора, разрешив в будущем делать подобные операции прямо на чипах, хранящих данные.

«Мемристор резко отличается от любого другого элемента, — говорит Стэнли Вильямс (Stanley Williams), почетный сотрудник HP Labs, занимающейся разработкой нового элемента с 1998 г. – Ни сопротивление, ни конденсатор, ни катушка индуктивности не смогут дать свойства мемристора, как бы их ни объединяли». Мемристор — это не триггер. Он запоминает направление следования электронов и, помимо этого, величину приложенного к нему тока.

Ученые подсчитали, что новая разработка в 100 раз стремительнее если сравнивать с флэш-памятью и приблизительно на порядок действеннее в плане энергопотребления.

Аналитики, но, без особенного энтузиазма наблюдают на разработку. По словам Мартина Рейнольдса (Martin Reynolds) из Gartner, не обращая внимания на все достигнутые удачи к настоящему времени, нет ничего, что может обеспечивать того, что новая разработка будет в конечном итоге реализована в потребительских товарах. «В лабораториях все выглядит здорово, — комментирует аналитик. — Но до тех пор пока неизвестно, что будет, если вы соберете воедино триллионы мемристоров и поместите их в одно устройство, будет ли оно трудиться так, как вам захочется».

Увлекательные записи:

ОН НЕВИНОВЕН!!! — \


Комментарии и уведомления в настоящее время закрыты..

Комментарии закрыты.