Корпорация Intel и компания Numonyx заявили о большом прорыве в создании Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах. Стороны создали метод наложения слоев таковой памяти друг на друга, что открывает возможность создания фазовых совокупностей хранения данных с более высокой плотностью записи информации, меньшим миниатюрными размерами и потреблением энергии, отмечается в пресс-релизе.

В рамках совместного исследовательского проекта компании создали способ производства вертикально интегрированных ячеек PCM(S). Любая такая ячейка включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив.

Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга разрешает увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Ячейки фазовой памяти создаются методом соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Применять PCM в качестве элемента хранения данных пробовали в далеком прошлом, но ранее использовалось сходу пара типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по эффективности и размеру. Инженеры Intel и Numonyx смогли решить эту проблему.

Разработчики показали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет особенностей кроме того в по окончании 1 млн циклов перезаписи.

Intel и Numonyx придумали, как сделать фазовую память многослойной

«Сделан многообещающий научный прорыв, — Грег Этвуд (Greg Atwood), сотрудник Numonyx, эксперт в области разработок. – Он говорит о том, что мы можем создавать память с еще большей плотностью, увеличивать размер массивов и в будущем применять фазовую память в том месте, где на данный момент стоят модули флеш-памяти NAND-архитектуры. Это крайне важно, поскольку классическая флэш-память подходит к пределу собственных физических и функциональных возможностей. В это же время, потребность в памяти остается.

Все больше памяти нужно для самых разных продуктов – от мобильных устройств до центров обработки данных».

Более подробная информация по открытию будет приведена в совместном докладе «Многослойная узловая память на базе фазовых переходов» (A Stackable Cross Point Phase Change Memory) на конференции International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе, штат Мэриленд, 9 декабря 2009 г. О начале поставок многослойной фазовой памяти в Intel пока не говорят.

Кроме Intel и Numonyx, изучениями в данном направлениями занимаются STMicroelectronics, IBM и другие компании. По словам ученых, память на фазовых переходах в течение следующих лет станет самая подходящей заменой современной флэш-памяти. Предполагается, что со временем PCM будет употребляться в мобильных телефонах, цифровых камерах, MP3-плеерах, другом оборудовании и компьютерах. Широкое проникновение фазовой памяти — одна из главных задач, которая сейчас стоит перед ее создателями.

В это же время, в первый раз о памяти на базе фазовых переходов в агрегатном состоянии вещества было заявлено около 30 лет назад.

Увлекательные записи:

• Замминистра обороны: в армии россии воевать будут роботы
• Западные сми испугались российского космического робота, похожего на терминатора. видео
• Запасы ipad закончатся в россии через неделю-две

Lenovo P780 замена флеш памяти или как победить error 5069