Создан самый маленький в мире транзистор (3 фото)

12 марта 2008

smart

Сейчас в полупроводниковой индустрии считалось, что транзисторы, выполненные по техпроцессу менее 5-нм, не будут трудиться, исходя из этого их изготовление и разработка кроме того не рассматривались. Но сейчас эта теория, пошатнулась благодаря изысканиям научных сотрудников Калифорнийского университета в Беркли. Им удалось создать транзисторы по 1-нм техпроцессу за счет применения углеродных нанотрубок (графен) и дисульфида молибдена (MoS2).

Принято вычислять, что из-за квантовых ограничений протяженность затвора в кремниевых транзисторах не может быть меньше 5 нанометров. Обстоятельством тому служиттуннельный эффект, в то время, когда электроны начинают проходить через энергетический барьер транзистора, и электронный компонент уже не имеет возможности трудиться.

Для решения данной неприятности ученые применяли конструкцию из трёх слоев — подложки из кремния, пластинки из диоксида циркония с проходящей в ней углеродной нанотрубки и узкой плёнки дисульфида молибдена, что в сравнении с кремнием владеет более низкой диэлектрической проницаемостью. В следствии затвор кроме того из одной углеродной нанотрубки формирует достаточное электрическое поле, дабы не разрешить электронам прыгать с одного финиша транзистора на другой из-за квантового туннелирования.

times

Принципиально важно подчернуть, что таковой итог достигнут не в первый раз. Ещё в 2008 году исследователи из университета Манчестера применяли графен для транзистора по 1-нм техпроцессу, содержащего только пара углеродных колец. Двумя годами ранее корейские ученые применяли разработку FinFET, дабы перейти на 3-нм техпроцесс.

Но ответ учёных из Беркли отличается от ранних открытий стабильностью собственной работы.

Но, исследователи из Беркли еще не пробовали компоновать новые транзисторы на кристалле и не изучали вопрос производства чипов в промышленных масштабах. В отечественные же дни самые новейшие процессоры (к примеру, Kaby Lake от Intel) созданы по 14-нанометровому технологическому процессу. Следующий ход — выпуск чипсетов с длиной затвора 10 нм.

Над созданием соответствующей промышленной разработке, которая разрешит печатать прогрессивные чипы, трудятся такие признанные чипмейкеры, как Intel, Qualcomm и MediaTek.

Для потребителей эта технологическая революция вероятно значит, что устройства станут ещё замечательнее, но с сохранением нынешних размеров, либо компактнее.

Источник: engadget.com