Samsung наладила массовый выпуск 30-нанометровых чипов памяти green ddr3

25 января 2008

smart

Компания Samsung сказала, что она первой в отрасли наладила массовое производство чипов памяти Green DDR3 емкостью 2 Гб, применяя нормы 30-нанометрового технологического процесса. Такие чипы отличаются низким потреблением энергии и смогут употребляться для производства модулей памяти, предназначенных для работы в составе серверов, настольных компьютеров, ноутбуков, нетбуков и мобильных устройств.

Смотрите кроме этого: Transcend выпустила наборы памяти DDR3 емкостью 8 ГБ

Компания Transcend по окончании анонса карт памяти типа CFast выпустила новые двухканальные наборы памяти стандарта DDR3 в рамках серии aXeRam. Такие устройства позиционируются для применения геймерами, оверклокерами и опытными пользователями, каковые применяют 64-битные предположения операционных совокупностей.Представленные наборы складываются из двух модулей емкостью по 4 ГБ любой. Так, суммарная емкость наборов образовывает 8 ГБ. Такие модули памяти трудятся на частоте 2000 МГц с таймингами 9-11-9-24 при напряжении питания 1,6 В.

По заявлениям производителя, новинки отличаются большим уровнем производительности при низком энергопотреблении. Так, для серверных модулей памяти, основанных на новых чипах памяти Samsung Green DDR3, стандартным рабочим есть напряжение 1,35 В. Наряду с этим серверные модули памяти могут быть около скорости передачи данных до 1866 Гб/с.

Одновременно с этим модули памяти для настольных компьютерных совокупностей при рабочем напряжении питания 1,5 В снабжают пропускную свойство памяти 2133 Гб/с, что в 3,5 раза больше если сравнивать с памятью стандарта DDR2 и в 1,6 раза больше, чем показатель памяти стандарта DDR3, выполненной по нормам 50-нанометрового технологического процесса. Кроме этого отмечается, что уровень экономии энергии в серверных совокупностях при переходе от 50-нанометровых чипов памяти DDR3 к 30-нанометровым чипам Green DDR3 достигает 20%.

Помимо этого, применение в настольном компьютере на базе многоядерного процессора одного модуля памяти емкостью 4 ГБ на базе представленных чипов снабжает прирост производительности системы памяти на 60% если сравнивать с двумя модулями памяти емкостью 2 ГБ любой на базе 50-нанометровых чипов DDR3. Одновременно с этим прирост продуктивности производства при переходе от 50-нанометрового технологического процесса к 30-нанометровому образовывает 155%, что разрешает производить большее количество чипов при неизменном уровне материальных затрат. Так, понижается себестоимость производства каждого чипа.

Кроме этого Samsung планирует до Января этого года наладить массовое производство 30-нанометровых чипов памяти Green DDR3 емкостью 4 Гб. Так, покажется возможность значительно повысить емкость конечных модулей памяти стандарта DDR3: до 32 ГБ – для серверных модулей, до 8 ГБ – для настольных модулей, используемых в рабочих настольных системах и станциях, и до 8 ГБ – для мобильных модулей памяти, применяемых в составе ноутбуков, нетбуков и моноблочных компьютеров.

Создатель: ITC.UA