Rram: компьютерная память вступает в новую эпоху

14 февраля 2011

smart

Американский стартап Crossbar представил разработку изготовления резистивной памяти с произвольным доступом, совмещающей преимущества DRAM и NAND Flash.

Калифорнийская компания Crossbar, основанная в 2010 году, представила действенную разработку изготовления памяти RRAM, которая в возможности будет альтернативой обширно распространённой флеш-памяти NAND.

Смотрите кроме этого: Как улучшить резистивную память

Американские исследователи внесли предложение разработку, которая теоретически упростит и удешевит процесс производства компьютерной памяти нового поколения RRAM.

Микрочипы RRAM, как ожидается, отыщут самое широкое использование. (Тут и ниже изображения Crossbar.)

RRAM, либо ReRAM, — это энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом. Микросхемы RRAM способны снабжать примерно такое же быстродействие, что и DRAM, сохраняя наряду с этим данные при отсутствии питания. Если сравнивать с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бoльшим числом циклов перезаписи.

Главная мысль RRAM содержится в том, что диэлектрики, каковые в обычном состоянии имеют высокое сопротивление, по окончании приложения высокого напряжения смогут организовать в себя проводящие нити низкого сопротивления и, по сути, превратиться из диэлектрика в проводник. Другими словами материал практически есть управляемым постоянным резистором с двумя либо более переключаемыми уровнями сопротивления. Чтение информации происходит посредством приложения к одному финишу резистора некоего низкого напряжения и измерению уровня напряжения на втором финише.

Crossbar отмечает, что созданная методика разрешает создавать чипы памяти, владеющие если сравнивать с NAND в 20 раз более высокой скоростью записи, в 20 раз меньшим энергопотреблением и на порядок большей долговечностью. Наряду с этим при сопоставимой ёмкости изделия RRAM будут в два раза компактнее NAND.

Разработка Crossbar разрешает приобретать чипы вместимостью до 1 ТераБайт с площадью поверхности 200 мм?. Ячейки памяти имеют трёхслойную структуру: снизу расположен неметаллический электрод, в середине — переходный материал на базе аморфного кремния, сверху — железный электрод.

Чипы RRAM, произведённые по методике Crossbar, смогут быть объединены в трёхмерную структуру чтобы получить носителей громадной ёмкости, исчисляющейся терабайтами. Ожидается, что такая энергонезависимая память отыщет самое широкое использование. Она подходит для применения в персональных компьютерах, карманных медиаплеерах,камерах , смартфонах, планшетах, внешних накопителях, серверах и пр.

Crossbar уже создала рабочие образцы массивов ячеек RRAM, применяя оборудование на коммерческом предприятии. Компания собирается лицензировать собственную разработку сторонним производителям. Ожидается, что продукты на базе резистивной памяти с произвольным доступом покажутся в течение двух–трёх лет.

Подготовлено по данным Crossbar.

Создатель: Владимир Парамонов