Калифорнийский стартап Crossbar заявил о разработке чипов энергонезависимой памяти площадью 200 мм2 (меньше почтовой марки), каковые способны вместить 1 ТераБайт информации.

В базе изобретения лежит разновидность резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive Random Access Memory — RRAM), созданная инженерами Crossbar. Ячейки памяти Crossbar складываются из трех элементов: нижнего неметаллического электрода, промежуточного слоя из аморфного кремния и верхнего железного электрода.

При подаче на ячейку электрического тока между электродами появляется напряжение, которое формирует в промежуточном слое нити низкой проводимости, превращая его в проводник. Так ячейка меняет собственный состояние. Дабы вернуть прошлое состояние материала и перевести ячейку обратно, производится вторичная подача тока с другой полярностью.

Проприетарная разработка Crossbar имеет последовательность преимуществ, поведали в компании. Одно из них содержится в отсутствии необходимости создавать между электродами ячейки высокое напряжение для переключения ее состояния.

Чтобы достигнуть высокой плотности хранения данных, инженеры внесли предложение размещать слои ячеек RRAM приятель над втором. В компании не уточнили, какое предельное количество слоев разрешает накладывать их разработка.

Ячейка PRAM, созданная Crossbar

Кроме увеличенной плотности, как утверждают в Crossbar, новая память предлагает в 20 раз более высокую скорость записи если сравнивать с флэш-памятью NAND, на порядок больший срок работы если сравнивать с NAND и «надежность, приближающуюся к памяти DRAM».

Множество слоев ячеек в чипе

Предполагается, что новая память, владеющая низким потреблением энергии, отыщет использование в планшетах и смартфонах, SSD-накопителях, надеваемой электронике и других устройствах.

Преимущество в плотности если сравнивать с планарной аккумуляторная

«Девяносто процентов данных, каковые мы храним сейчас, были созданы в последние 2 года. Появление новых данных и мгновенный доступ к ним становятся неотъемлемыми атрибутами нашей жизни, что порождает спрос на накопители информации. Одновременно с этим планарная флэш-память близка к собственному пределу в плане миниатюризации.

Новый тип энергонезависимой памяти, включая память, созданную компанией Crossbar, разрешит решить эту проблему, предложив нужные производительность и ёмкость и в финише-финишей станет заменой флэш-памяти», — прокомментировал Майкл Янг (Michael Yang), старший аналитик IHS по системам и памяти хранения данных.

В Crossbar создали первый коммерческий пример чипа и собираются приступить к серийному производству. Сроки не уточняются.

Отметим, что пару дней назад компания Samsung Electronics сказала о начале массового производства первых чипов памяти, в которых ячейки размещены в 3D-структуре.

Увлекательные записи:

• Резко снижена цена на yotaphone 2
• Ricoh представила цифровую фотокамеру с системой съемной оптики
• Rim представила два новых смартфона blackberry и новую ос

Герои Земли-1 против Двойников Нацистов | HD