Разработаны трёхмерные ячейки памяти reram большой ёмкости

27 декабря 2007

smart

Компания Samsung сказала о разработке разработки создания памяти ReRAM, ёмкость которой превосходит показатели флеш-памяти NAND.

Новая методика создания ячеек трёхмерной энергонезависимой аккумуляторная-памяти (резистивная память с произвольной выборкой), представленная компанией Samsung Electronics (Республика Корея), разрешает применять токи не сильный 1 мкА для перезаписи информации, и снабжает получение рабочего материала с высокой нелинейностью вольт-амперных черт.

Смотрите кроме этого: Память на базе графена и молибденита

Учёные из EPFL (Федеральная политехническая школа Лозанны) создали прототип памяти, которая может иметь громадный потенциал.Благодаря комбинации двух материалов в выдающимися электрическими особенностями — графена и молибденита, им удалось создать неповторимую двухмерную неоднородную структуру, талантливую запоминать данные.Базой памяти, так же как и электродов, есть высокопроводящий графен. Прослойка из молибденита разрешает скоро переключать состояния памяти, затрачивая наряду с этим минимум энергии.

Всё это разрешает избежать паразитных токов, талантливых изменять состояние соседних ячеек. Помимо этого, по словам разработчика, новые 3D ReRAM-ячейки способны выдерживать до 107 циклов перезаписи.

Компания Samsung ввязалась в разработку трёхмерной реализации памяти семь дней (либо VRRAM — вертикальной ReRAM) чтобы наконец-то отыскать замену неисправимой NAND-памяти. В общем и целом, разработка VRRAM разрешает приобретать уложенные друг на друга слои ячеек ReRAM-памяти в одном постоянном ходе, что, кроме повышения ёмкости самой памяти, разрешает снизить цена её производства.

Но одним из главных условий точного функционирования VRRAM-памяти есть возможность применения максимально низких токов перезаписи информации. Наличие у материала нелинейных вольт-амперных черт разрешает достигнуть дополнительного повышения плотности памяти при помощи связывания нескольких соседних ячеек.

Слева — простая ReRAM; справа — схема вертикальной памяти VRRAM (иллюстрация Tech-On!).

В этом случае, для получения нужного результата , учёные из Samsung выяснили допустимый диапазон плотности кислородных вакансий, правильное выдерживание которого принесло желаемые вольт-амперные характеристики рабочего материала. Помимо этого, между плёнкой оксида и электродом переходного металла (материала ячейки памяти) был добавлен дополнительный туннельно-оксидный слой (слой оксида, снабжающий туннелирование электронов).

В следствии удалось добиться предельно малого тока перезаписи информации (1 мкА), и желаемой нелинейности вольт-амперных черт материала.

Подготовлено по данным Tech-On!.

Создатель: Роман Иванов