Ученые Кембриджского университета во главе со Стивеном Эллиотом (Stephen Elliott) смогли достигнуть скорость записи информации в ячейку памяти PRAM (памяти на базе фазового состояния вещества) в 500 пс (1 пикосекунда -одна триллионная часть секунды). Об этом сообщается в работе, размещённой в издании Science.

По словам ученых, благодаря новому прорыву фазовая память стала еще на один ход ближе к потребителю. В конечном итоге, полагают исследователи, такая память сможет заменить новейшие технологии хранения данных и, благодаря ее особенностям, разрешит создавать компьютеры, каковые будут мгновенно включаться и выключаться.

Принцип действия памяти PRAM содержится в трансформации состояния вещества с аморфного на кристаллическое и обратно методом температурного действия, осуществляемого посредством электрического тока.

Сейчас процесс кристаллизации в фазовой памяти, другими словами записи битов данных, занимал более чем 1-10 нс. Наряду с этим материалы, талантливые кристаллизоваться стремительнее, со временем, в условиях пониженных температур, достаточно скоро теряли выстроенную молекулярную структуру, и целостность данных нарушалась.

Чтобы повысить скорость записи, ученые воспользовались соединением германия, теллура и сурьмы. Поместив маленький цилиндр из этого соединения, диаметром 50 нм, между двумя электродами из титаного сплава, они приложили к нему напряжение величиной 0,3 В.

Скорость работы PRAM превысила скорость работы ОЗУ

Под действием электрического тока молекулы стали более упорядоченными, но вещество сохранило аморфное состояние, другими словами продолжило содержать ноль. Потом исследователи, приложив более высокое напряжение, 1 В, вынудили вещество кристаллизоваться, другими словами записали в него единицу.

Благодаря предварительному процессу упорядочивания молекул посредством не сильный электрического поля и удалось сократить время кристаллизации. В следствии скорость записи информации оказалась приблизительно на порядок более высокой по сравнению со скоростью записи при применении лучших соединений гармания и теллура, отмечает Ars Technica.

Для разрушения кристалла, другими словами удаления данных, ученые прикладывали напряжение величиной 6,5 В. После этого пробовали опять записать данные и опять удалить ее. Вещество удачно выдержало около 10 тыс. удаления и циклов записи данных.

Разработкой фазовой памяти занимаются пара компаний, и за последние годы в данной сфере было совершено пара серьёзных прорывов. Так, к примеру, в середине 2011 г. корпорация IBM заявила о том, что ей удалось создать фазовую память с многоуровневой структурой — записать в одну ячейку два бита данных (по аналогии с современной флэш-памятью).

Корпорация Intel в 2008 г. приступила к пробным поставкам микросхем фазовой памяти, позднее это сделали Numonyx и Samsung. Фазовая память сочетает свойство энергонезависимой памяти хранить данные при отключенном электропитании и скорость работы оперативной памяти DRAM и выше. Она может употребляться для хранения данных не только в персональных компьютерах, но и смартфонах, игровых приставках и каждый электронике.

Увлекательные записи:

• Panasonic обновил линейку офисных проекторов
• Panasonic обновил модельный ряд офисных атс
• Panasonic представил беззеркальную камеру в ретро-стиле. фото

Олег Соколов о Египетском походе и битве у Пирамид