Серийное производство

Компания Samsung Electronics заявила о начале серийного производства 256-гигабитной, трехмерной (3D) флэш-памяти Vertical NAND (V-NAND), которая включает 48 слоев ячеек и предназначена для применения в твердотельных накопителях. Новая память отновится к третьему поколению памяти V-NAND. Второе поколение чипов, в которых было 32 слоя ячеек, компания объявила в августе 2014 г.

В два раза увеличенная емкость

Плотность записи данных для новой флэш-памяти вдвое превышает подобные показатели классических чипов флэш-памяти (128 Гбит). Кроме того, что удалось обеспечить количество памяти 32 ГБ на базе одного кристалла, новый чип кроме этого разрешит удвоить емкость существующих твердотельных накопителей Samsung и стать хорошим решением для мультитерабайтных твердотельных дисков, поведали в компании.

Десятки миллиардов ячеек в одном чипе

В новом чипе V-NAND в каждой ячейке употребляется структура 3D Charge Trap Flash (CTF), в составе которой массивы ячеек устанавливаются вертикально друг на друга и образуют, так, 48-слойный массив, что подключается электрически через 1,8 млрд канальных отверстий, пронизывающих массивы благодаря особой разработке травления.

В целом любой чип включает более чем 85,3 млрд ячеек. Любая ячейка может хранить три бита данных, что в целом разрешает хранить 256 млрд бит данных. «Иначе говоря количество данных 256 Гбит умещается на чипе, что возможно разместить на кончике пальца», — пояснили в компании.

Чипы NAND-памяти Samsung емкостью 3 ГБ

Сниженное энергопотребление

48-слойный чип потребляет электричества приблизительно на 30% меньше если сравнивать с 32-слойным чипом в расчете на единицу емкости. На протяжении производства нового чипа кроме этого обеспечивается рост производительности примерно на 40% если сравнивать с его 32-слойным предшественником, что в итоге разрешает сделать цены на твердотельные диски более привлекательными, наряду с этим не нужно замена уже существующего оборудования, утверждают в Samsung.

Возможности новой памяти

Компания собирается производить третье поколение памяти V-NAND в течении оставшихся месяцев 2015 г., дабы ускорить переход на терабайтные твердотельные диски. Внедряя твердотельные диски, предназначенные для рядовых потребителей, с плотностью записи данных в 2 ТераБайт и выше, Samsung рассчитывает расширить количества продаж твердотельных дисков, предназначенных для центров обработки и крупных предприятий данных.

Подобная память от SanDisk

В первых числах Августа 2015 г. о намерении приступить к производству чипов памяти с ёмкостью и аналогичной структурой сказала компания SanDisk. На данный момент она осуществляет поставки текстовых образцов чипов. Серийный выпуск планируется начать в 2016 г.

Увлекательные записи:

• Над apple watch сгущаются тучи: продажи не оправдывают надежд
• Надежные источники подтвердили выход ipad mini
• На форуме в давосе применяют «пулеметы-глушилки» для защиты от дронов

Разведопрос: Сергей Марков об искусственном интеллекте