Корпорация Intel совместно с STMicroelectronics приступила к поставкам пробных образцов первой в мире фазовой памяти. Устройство Alverstone с топологическим уровнем 90 нм вмещает 128 Мбит (16 МБ) информации и предназначено для конечных потребителей, каковые уже на данный момент смогут оценить преимущества новой разработке. Согласно данным производителя, фазовая память (Phase Change Memory, PCM) предлагает записи и высокие скорости чтения данных, потребляя меньшее количество энергии если сравнивать с современной флэш-памятью.

В первый раз разработка была обрисована одним из основателей Intel, Гордоном Муром (Gordon Moore), в 1970 г. в издании Electronics. Потом аналитики сделали очень оптимистичный прогноз, заявив о том, что первая такая память покажется уже в 2003 г.

В 2004 г. компания Intel показала пример фазовой памяти емкостью 8 Мбит с применением топологии 180 нм. Прототип Alverstone емкостью 128 Мбит, выполненный на базе 90-нм техпроцесса, был представлен двумя годами позднее, а в апреле 2007 г. компания объявила, что собирается приступить к выпуску таковой памяти в течение ближайших трех месяцев.

«Это самый броский прорыв за последние 40 лет, ? подчеркивает Эд Доллер (Ed Doller) из компании Numonyx, основанной Intel и STMicroelectronics в мае прошлого года. ? Была сделана масса попыток создать новую память, информация в которой не будет зависеть от электропитания. В этом замысле PCM ? самое оптимальное ответ. Intel и STMicroelectronics предлагают такую память уже на данный момент, сейчас.

Это громадный ход как для всей индустрии в целом, так и для отечественных компаний».

Копорация Intel выпустила устройство Alverstone, которое, согласно точки зрения экспертов, стало самым броским прорывом в области разработок памяти

По словам специалистов, цена PCM будет падать стремительнее, чем падает цена флэш-памяти. Со временем фазовая память будет употребляться в мобильных телефонах, цифровых камерах, MP3-плеерах, компьютерах и втором высокотехнологичном оборудовании. Широкое проникновение фазовой памяти ? одна из главных задач, которая стоит сейчас перед ее создателями.

Компании Intel и STMicroelectronics не единственные, кто занимаются разработкой аналогичных разработок. В конце 2006 г. о создании памяти, основанной на фазовом состоянии вещества, заявили IBM, Macronix и Qimonda. Но их разработка теряла надежность уже по окончании 100 тыс. циклов.

В сентябре прошлого года об изобретении фазовой памяти в 1000 раз стремительнее флэш заявили исследователи из университета Пенсильвании.

Пару дней назад Intel заявила о том, что отыскала метод удвоить емкость фазовой памяти без повышения числа ячеек.

Увлекательные записи:

• Intel расширит возможности беспроводной связи ноутбуков
• Intel сделает беспроводную зарядку массовой в 2013 г.
• Intel сделает пк сверхдешевыми

Out of Stock — Bored Ep 90 — VLDL