19 мая 2009 
smart 
Компании Micron Technology и Intel представили новую флеш-память, изготовленную по разработке 3D NAND. Её главное преимущество — возможность создания накопителей с большим уровнем плотности размещения ячеек. К примеру, с применением 3D NAND создание твердотельного накопителя размером с пластинку жевательной резинки ёмкостью 3,5 ТераБайт и стандартного твердотельного накопителя форм-фактора 2,5 дюйма количеством более 10 ТераБайт сейчас есть полностью выполнимой задачей.
Смотрите кроме этого: Новые разработки Intel и Micron разрешат создавать SSD-диски ёмкостью 10 ТераБайт
Компании Toshiba и Intel сделали большие анонсы, способные привести к появлению недорогих SSD-накопителей с громадным количеством памяти. Оба производителя представили чипы памяти, выполненные по новой разработке 3D NAND, в которых ячейки памяти размещаются в пара слоёв. Это разрешает создавать флеш-накопители с громадным количеством памяти.
Так, Toshiba объявила, что она создала первый в мире 48-слойный NAND-чип количеством 16 ГБ, что отличается повышенной надёжностью и скоростью работы.По заявлению японского производителя, их память имеет самые мелкие в мире NAND-ячейки размером 15 нм. на данный момент
Брайан Ширли, вице-президент по разработкам памяти компании Micron Technology:
Сотрудничество Micron и Intel разрешило создать ведущую в отрасли твердотельную разработку хранения данных, которая снабжает высокую плотность размещения ячеек, эффективность и высокую производительность и существенно превосходит по рабочим чертям флеш-память. Разработка 3D NAND имеет громадной потенциал чтобы коренным образом поменять рынок памяти.
Главные характеристики продукции на базе разработки 3D NAND:
- увеличенная ёмкость;
- более дешевизна на 1 ГБ: первое поколение памяти 3D NAND спроектировано так, дабы обеспечить более высокую экономическую эффективность если сравнивать с планарной памятью NAND;
- высокая скорость работы: громадная пропускная свойство для операций чтения/записи, высокая скорость операций ввода/вывода и высокая производительность при операциях чтения в произвольном режиме;
- низкое энергопотребление: новые режимы ожидания снабжают низкое энергопотребление за счёт обесточивания неиспользуемых кристаллов памяти NAND (кроме того в случае если второй кристалл в корпусе употребляется);
- интеллектуальный дизайн: инновационные функции снижают латентность и увеличивают срок работы если сравнивать с прошлыми поколениями продукции, что существенно упрощает интеграцию.
MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, в то время как тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии начались, серийное производство новой продукции запланировано на последний квартал этого года. Компании кроме этого разрабатывают личные линии для производства твердотельной продукции на базе разработки 3D NAND.
Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году.
Источник: 4pda.ru
Увлекательные записи:
- Intel изменила правила игры. отныне названия процессоров не будут говорить ровным счётом ничего
- Intel поделилась некоторой информацией о серверном процессоре poulson
- Intel показала первый полностью цифровой радиомодуль wi-fi
Рубрика: 
Метки: 
