Ibm сотоварищи создали 45-нм техпроцесс

6 ноября 2006

smart

Компании IBM, Chartered, Infineon и Samsung заявили о готовности проектных норм и производственного процесса для 45-нанометровых кремниевых чипов с низким энергопотреблением. Уже к концу 2007 года планируется развернуть их массовое производство на фабриках Chartered, IBM и Samsung.

Первые трудящиеся чипы, изготовленные по 45-нм нормам, будут употребляться в совокупностях связи нового поколения. Их выпуск будет осуществляться на 300-мм производственной линии IBM в городе Ист-Фишкил, штат Нью-Йорк. Среди блоков, каковые удачно прошли тестирование, были узлы для библиотеки стандартных компонентов и элементы ввода-вывода разработки Infineon, и встроенная память, созданная экспертами альянса.

Ibm сотоварищи создали 45-нм техпроцесс
Производство IBM в городе Ист-Фишкил

Полученные результаты – это еще один ответственный предел в отечественной успешной стратегии создания оптимальных ответов методом максимально раннего применения самых передовых технологических платформ, – говорит Герман Эул (Hermann Eul), президент подразделения и член правления Communication Solutions компании Infineon Technologies. – Первые 45-нм структуры являются примером самой передовой технологии, сочетающей низкое энергопотребление и высокую производительность. По его словам это решение должно будет удовлетворить потребности нового поколения мобильных устройств.

Компании не только представили первые реализованные микросхемы, но и заявили о готовности комплектов средств их проектирования для разработчиков. В этих комплектах воплощен опыт проектирования, накопленный экспертами всех четырех компаний. Они предназначены для упрощения перехода проектировщиков специальных чипов к новому технологическому процессу, и для стимулирования производства единой конструкции на нескольких производственных фирмах с целью действенного применения проектных обеспечения и наработок большой полезности для потребителей, говорится в пресс-релизе.

Первые результаты работы чипов продемонстрировали, что производительность 45-нм узлового устройства, как минимум, на 30% выше, чем у 65-нм узла. Дополнительным преимуществом для клиентов есть гибкость доступа к данной технологии благодаря помощи формата GDSII всеми производственными фирмами, отмечает Лиза Су (Lisa Su), вице-президент НИИ IBM по полупроводниковым разработкам и начальник совместной группы разработчиков альянса.

Первую трудящуюся микросхему, выполненную по 45-нм технологическому процессу, еще в январе 2006 года показала компания Intel. Микросхема статической памяти содержала более 1 миллиарда транзисторов, а ток утечки в ней был снижен более чем в пять раз по отношению к 65-нм микросхемам. Массовое производство устройств кроме этого было намечено на 2007 год.