Ibm продемонстрировала новую элементную базу для микроэлектроники

Ibm продемонстрировала новую элементную базу для микроэлектроники

Ионы способны заставлять оксиды металлов переходить из изолирующего в проводящее состояние и обратно.

Учёные IBM продемонстрировали, что проводящее и изолирующее состояния оксидов металлов возможно осуществлять контроль при помощи ионов O, управляемых электрическим полем. Более того, оказалось, что по окончании перевода материала в проводящее состояние оно самоподдерживается без внешнего вмешательства, а также без электропитания. Так, перед нами постоянная память с ионным управлением.

Смотрите кроме этого: Видеообзор Gigabyte GA-Z77X-UD5H-WB WIFI

Обзор материнской платы Gigabyte GA-Z77X-UD5H-WB WIFI. Она превосходно подойдет тем, кто решил действительно обосноваться на платформе LGA1155, потратившись на приобретение недешевой материнской платы и скоростного процессора из линейки Sandy/Ivy Bridge. Модель подкупает собственной универсальностью.

С одной стороны, она отлично оснащена, причем наровне с современными портами, не забыты и хорошие элементы эры восхода солнца настольных ПК — интерфейсы PCI и FireWire, с другой — плата имеет усиленный преобразователь, качественную широкий набор и элементную базу инструментов для форсирования совокупности.

Схема нового устройства, контролируемого ионной жидкостью. (Иллюстрация IBM.)

«Свойство осознавать и руководить материей на размерном уровне, соответствующем атомам, разрешает нам создавать устройства и материалы, действующие на правилах, всецело отличающихся от IT, основанных на кремнии и главных сейчас, — заявляет Стюарт Паркин (Stuart Parkin), один из разработчиков новых экспериментальных совокупностей. — Переход от сегодняшних средств, базирующихся на заряде, к устройствам, применяющим маленькие ионные потоки для обратимого управления состоянием материи, несёт в себе потенциал для новых типов мобильных гаджетов, изделий и приборов». Наряду с этим производительность и миниатюрность таких устройств не разрешат микроэлектронике упереться в потолок роста.

До тех пор пока электролит на базе ионной жидкости показал собственную эффективность только в отношении диоксида ванадия. Переход для того чтобы диоксида в железное состояние происходит при хорошем заряде электролита. А обратный, в непроводящее состояние — при отрицательном заряде ионной жидкости.

Переход для того чтобы рода материалов из состояния металла в состояние изолятора изучался много лет. Но лишь сейчас IBM пришла к выводу, что именно кислород руководит таким поведением в оксидах металлов, подверженных действию сильного электрического поля.

Ранее обратимый переход аналогичного типа достигался при приложении тепла либо механического давления — другими словами при помощи действий, каковые малопрактичны при применении в электронных устройствах повседневного применения.

Отчёт об изучении размещён в издании Science.

Подготовлено по данным IBM.

Создатель: Александр Березин

Увлекательные записи:

А.И. Соколов про квантовую механику, часть вторая


Комментарии и уведомления в настоящее время закрыты..

Комментарии закрыты.