Корпорация IBM объявила передовую полупроводниковую разработку, применяющую способ chip-stacking (монтаж в одном корпусе нескольких чипов приятель над втором), которая открывает путь к широкому распространению производственного процесса трехмерной упаковки микросхем. Это революционное достижение будет, без сомнений, содействовать «расширению сферы» и продлению жизни действия известного закона Мура, в соответствии с которому число транзисторов в кристалле удваивается каждые 12-18 месяцев, благодаря чего соответствующим образом растет производительность процессоров. Новая разработка, названную through-silicon vias («внутрикремниевые межсоединения»), разрешает делать сверхплотную упаковку компонентов микросхемы, что крайне важно при создании быстродействующих компактных электронных совокупностей с низким энергопотреблением.

Эта методика позволяет перейти от двухмерных (2D) горизонтальных топологий чипов к трехмерной (3D) упаковке кристалла. К примеру, в случае если ядра процессора и элементы памяти традиционно размешались рядом, «бок о бок» на кремниевой пластине, то сейчас их возможно компоновать приятель над втором.

В итоге формируется компактная многослойная структура полупроводниковых элементов, которая разрешает существенно снизить размеры корпуса микросхемы и повысить пропускную свойство межсоединений функциональных компонентов чипа. Новый технологический способ IBM ликвидирует необходимость в довольно долгих железных проводниках, каковые сейчас соединяют между собой 2D-чипы и их составные элементы, заменяя эти проводники т.н. внутрикремниевыми соединениями.

Межсоединения through-silicon vias являются вертикальные каналы, протравленные в кремниевой пластине и заполненные металлом. Такие внутрикремниевые соединения разрешают располагать на пластине пара чипов по вертикали приятель над втором и, в итоге, существенно расширить количество данных, проходящий через эти чипы.

Благодаря новой технологии расстояние, которое нужно преодолевать потокам данных в микросхеме, уменьшается практически в 1000 раз. Помимо этого, эта методика разрешает реализовать в 100 раза больше каналов связи для обмена данными если сравнивать с 2D-чипами.

IBM уже начала использовать методику внутрикремниевых межсоединений в собственном технологическом ходе производства микросхем. Опытные образцы таких чипов покажутся во второй половине 2007 г., а массовое производство чипов с применением разработки through-на данный момент vias будет освоено в 2008 г. Как ожидается, собственный первое широкое использование методика внутрикремниевых межсоединений отыщет в микросхемах усилителей мощности базисных станций беспроводных сотовой телефонии и сетей. 3D-чипы планируется кроме этого употребляться в комплектах микросхем высокопроизводительных суперкомпьютеров и серверов IBM, предназначенных для ответа ресурсоемких вычислительных задач в области научных бизнеса и исследований.

Увлекательные записи:

• Ibm получила экологический сертификат g.r.a.d.e.
• Ibm пополнила линейку защищенных ноутбуков thinkpad
• Ibm представила защищенный чип

Разведопрос: Герман Клименко, советник президента РФ