Флэш-память с подогревом до 800°c

22 апреля 2008

smart

Большой тайваньский производитель флэш-памяти Macronix создал разработку для увеличения срока судьбы микросхем флэш-памяти с нынешних 10000 циклов записи до как минимум 100 000 000 циклов записи. Инженеры Macronix говорят, что срок судьбы возможно и больше, недалеко от 1 миллиарда циклов. Для проверки этого необходимо пара месяцев.
Смотрите кроме этого: Создана аккумуляторная флэш-память

Тайваньские исследователи из компании Macronix создали флэш-память, талантливую противостоять процессу износа, информирует IEEE Spectrum. В базе разработки лежит свойство ячеек памяти восстанавливаться под действием больших температур. Исследователи внесли предложение подвергнуть ячейки кратковременному сильному нагреванию (пара миллисекунд при температуре 800 градусов Цельсия).

Утверждается, что по окончании таковой процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрастет с 10 тысяч до ста миллионов и более.

Метод продления судьбы флэш-памяти — достаточно тривиальный, он обсуждался раньше, но до сих пор никто не имел возможности его нормально реализовать. Речь заходит о подогреве микросхем на пара миллисекунд до температуры 800°С.Деградация флэш-памяти связана с накоплением остаточного заряда при каждой перезаписи ячейки.

Через пара тысяч циклов перезаписи данный остаточный заряд возрастает до таковой степени, что предстоящее применение ячейки в качестве носителя информации делается неосуществимым.Эксперты в далеком прошлом говорили, что нагрев до высокой температуры разрешает избавиться от остаточного заряда. По окончании устранения остаточного заряда микросхема начинала трудиться «как новая». Предполагалось, что для этого необходимо нагреть микросхему до 250°C на нескольких часов.

Конечно, в настоящих условиях это сделать нереально.Инженеры Macronix нашли ответ, применяв способы работы памяти с трансформацией фазового состояния (PRAM) — энергонезависимой памяти, в которой носителем информации есть халькогенид. Это вещество при нагреве переключается между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. Вещество в микросхеме PRAM меняет собственное состоянии при нагреве до 600°С на пара наносекунд.

Эксперты Macronix решили проверить, как реагируют ячейки флэш-памяти на короткий нагрев до больших температур. В следствии опытов они и нашли «целебный эффект» в районе 800°С.Получается, что достаточно иногда нагревать память до 800°С. Компания Macronix спроектировала микросхему памяти особенного дизайна, с миниатюрными нагревателями.

Для нового дизайна было нужно модифицировать классическую схему ячейки флэш-памяти (на иллюстрации). Подогрев ячеек требуется редко, и возможно «поджаривать» по одной ячейке за раз, так что эта процедура не будет через чур обременительной для аккумулятора мобильного устройства, говорит Ханг-Тинг Лу (Hang-Ting Lue), помощник директора Macronix и один из авторов научной работы.Данные исследований Macronix представит на конференции IEEE International Electron Devices Meeting 2012, которая состоится 10-12 декабря в Сан-Франциско.[Источник]