Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия

20 августа 2007

smart

При тестировании изделия в криогеннойкамерепри температуре около минус 269 градусов Цельсия удалось продемонстрировать итог практически в 800 ГГц.

Исследователи из Технологического университета Джорджии (США) и Университета инновационной высокопроизводительной микроэлектроники (Германия) показали в действии самое быстродействующее устройство на базе кремния изо всех, когда-либо созданных человеком.

Смотрите кроме этого: В лабораториях IBM обучились приобретать 10-сантиметровые страницы графена

Графен — один из самых многообещающих материалов на базе углерода. Так, из семь дней возможно сделать транзистор, талантливый трудиться на частоте 427 гигагерц, либо фотосенсор, что в 1000 раз чувствительнее простого. К сожалению, пока что графен могут приобретать только в виде чешуек размером в доли миллиметра либо в виде плёнок хоть и большего размера, но складывающихся из нескольких слоёв.

Наряду с этим цена для того чтобы графена всё ещё весьма громадна.

Криогенная зондовая установка для опробования транзисторов нового типа (тут и ниже изображения Технологического университета Джорджии).

Учёные взяли кремниево-германиевый транзистор (SiGe), талантливый функционировать на частоте в 798 ГГц. Это примерно на 200 ГГц выше прошлого рекорда, зафиксированного для изделий данного класса. Достижение ещё на один ход приближает ИТ-отрасль к переходу на терагерцевые микрочипы, трудящиеся на частоте более чем 1 000 ГГц.

Экспериментальное изделие является биполярный гетеротранзистор: в структуру кремниевого транзистора на наноуровне внедрён сплав SiGe. Изделие произведено по разработке BiCMOS, предусматривающей применение биполярных и КМОП-транзисторов на одном кристалле. Производственные нормы — 130 нанометров.

Частоты на уровне 800 ГГц удалось достигнуть в особой криогенной установке, в которой температура поддерживалась на отметке в 4,3 кельвина, либо примерно минус 269 градусов Цельсия. При комнатной температуре удалось продемонстрировать итог в 417 ГГц.

По словам исследователей, их достижение открывает путь к созданию транзисторов, функционирующих на рекордных частотах в простых температурных условиях. А это значит, что в возможности станет вероятным создание как следует передачи систем информации и новых обработки на недостижимых сейчас скоростях.

Учёные кроме этого отмечают, что кроме того в текущем виде транзисторы нового типа смогут отыскать использование на практике. К примеру, это возможно космическая аппаратура, рассчитанная на эксплуатацию в экстремальном холоде.

Результаты изучения размещены в издании IEEE Electron Device Letters.

Просматривайте кроме этого о транзисторах на нанотрубках с рекордной энергоэффективностью, оптическом транзисторе на терагерцевом транзисторах и излучении на фосфорене.

Подготовлено по данным Технологического университета Джорджии.

Создатель: Владимир Парамонов