Samsung начинает массовый выпуск первых в отрасли модулей памяти ddr4 на базе технологии 3d tsv

24 августа 2010

smart

Хороший вечер, Хабр!День назад Samsung Electronics заявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули складываются из 36 чипов DDR4 DRAM, любой из которых, со своей стороны, складывается из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с применением передового техпроцесса класса 20 нм.

Микросхемы планируют в единый стек посредством новейшего способа по сквозному соединению кристаллов называющиеся TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играться важную роль в будущем развитии сегмента корпоративных облачных приложений и серверов, а также в диверсификации ответов для центров обработки данных.
Смотрите кроме этого: LG и Samsung занимаются внедрением памяти DDR4 в собственные смартфоны

Сравнительно не так давно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а за соперником запуск новой разработке планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix объявила, что память DDR4 увеличит вдвое пропускную свойство если сравнивать с DDR3, наряду с этим сократив энергопотребление. Hynix — производитель 2-ГБ модуля оперативной памяти LPDDR4 с пропускной свойством 8 Гбит, что совместно со Snapdragon 810 SoC снабжает работу G Flex 2. Эластичный смартфон был представлен на интернациональной выставке CES 2015 в Лас-Вегасе.

Кстати, LG G Flex 2 стал первым смартфоном с DDR4.

Запуск массового производства модулей 3D TSV знаменует собой начало новой вехи в истории разработок памяти; отметим, что последней серьёзной разработкой Samsung в данной области стала флэш-память 3D Vertical NAND (V-NAND), в первый раз представленная в прошедшем сезоне. Тогда как разработка 3D V-NAND основывается на высоких вертикальных структурах массивов ячеек в монолитного кристалла, 3D TSV — это инновационная разработка построения пакетов, разрешающая соединять между собой вертикальные слои кристаллов.Для пакета 3аккумуляторная TSV DRAM кристаллы DDR4 стачиваются до толщины в пара десятков микронов, по окончании чего в кристаллах проделываются много небольших отверстий.

Они вертикально соединяются между собой при помощи электродов, каковые пропускаются через эти отверстия. В следствии, новый модуль 3D TSV имеет вдвое громадную производительность и в два раза меньшее энергопотребление если сравнивать с модулем, выстроенным на базе проводной обвязки кристаллов.В скором времени Samsung собирается связывать между собой более четырех кристаллов DDR4, применяя разработку 3D TSV, дабы создавать DRAM модули более высокой плотности.

Это разрешит ускорить расширение ответов для рынка памяти класса премиум и переход с памяти DDR3 на память DDR4 на рынке серверов. Samsung усиленно трудится над улучшением разработки 3D TSV с 2010 года, в то время, когда были в первый раз созданы модули 8 ГБ DRAM RDIMM класса 40 нм. В текущем году, Samsung начала использовать новую совокупность производства пакетов TSV, предназначенную для массового производства новых серверных модулей.