Ученые из компании Macronix, расположенной в тайваньском городе Синьчжу, создали разработку, талантливую избавить флэш-память от результата старения.

Эффект старения есть одним из недочётов флэш-памяти, что наряду с другими факторами — в первую очередь ценой — мешает ее массовому распространению. Дело в том, что постоянное действие на ячейки большого напряжения изнашивает их, и со временем они теряют свойство принимать четкое логическое состояние.

Современная флэш-память утрачивает свойство надежно хранить данные спустя 10 тыс. циклов перезаписи. При с USB-накопителем, что кроме этого основан на флэш-памяти, это не имеет значения ввиду, в большинстве случаев, маленького срока эксплуатации.

Но для SSD-накопителей, которыми оснащаются ноутбуки, это принципиально важно, поскольку срок эксплуатации компьютера может составлять пара лет. Еще большее значение данный показатель имеет для корпоративных совокупностей хранения данных, с высокой нагрузкой.

Задавшись целью повысить жизнеспособность флэш-памяти, ученые обратили внимание на тип памяти, основанной на фазовом состоянии вещества. В фазовой памяти ячейка меняет собственную проводимость при нагреве. Исследователи поняли, что подобный нагрев ячейки во флэш-памяти оказывает эффект восстановления.

Ученые утверждают, что решили одну из неприятностей флэш-памяти

За этим открытием ученые модифицировали чип простой флэш-памяти, добавив в него маленькие нагреватели для групп ячеек. Нагревая ячейки до температуры 800 °C в течение нескольких миллисекунд, они смогли продлевать их жизненный цикл.

По словам представителя Macronix Хан-Тина Люэ (Hang-Ting Lue), в лабораторных условиях они смогли продолжить срок работы флэш-памяти до 100 млн циклов перезаписи. Но в компании утверждают, что теоретический предел может быть около 1 млрд циклов. У исследователей пока не было возможности осознать данный предел, поскольку тестирование займет пара месяцев.

При мысли о регулярном нагреве флэш-памяти появляется вопрос о том, как скоро разрядится аккумулятор, в случае если такую память применять в ноутбуке либо втором портативном устройстве. Но Люэ говорит, что тревожиться не о чем, поскольку нагревать чипы нужно достаточно редко.

Помимо этого, на протяжении опытов ученые поняли, что действие на флэш-память большой температуры увеличивает скорость стирания данных в ячейках. Инженеры предполагают, что применение некоего постоянного термального режима может повысить производительность накопителей.

Результаты собственных опытов инженеры тайваньской Macronix собираются представить на конференции IEEE International Electron Devices Meeting 2012, которая пройдет через несколько дней в Сан-Франциско, США. В компании собираются вывести разработку на рынок, но не информируют, в то время, когда это возможно сделано.

Увлекательные записи:

• Разработан первый электроваз – el lada. фото
• Разработан пользовательский интерфейс будущего. видео
• Разработан сверхдешевый 3d-сенсор

Ремонт iPhone 5s (циклическая перезагрузка, реболл flash памяти)