Преодолевая закон мура: созданы транзисторы размером 1 нанометр

Исследователи из Университета Глазго в Англии и Университета Ровира и Вирхилий в Испании сумели перевоплотить личные молекулы в подобие транзисторов чтобы с их помощью возможно было хранить данные. Статья, посвященная их работе, была размещена в свежем номере издания Nature.

Сейчас флэш-память употребляется фактически в каждом мобильном устройстве. Производители стремятся удовлетворить возрастающие требования пользователей к ее количеству. Но скоро они столкнутся с ограничением на размер транзисторов, что не может быть меньше 10 нм.

Сущность нового способа содержится в создании клетки из молекул оксида вольфрама с длиной стороны около 1 нм. Вовнутрь данной структуры помещаются две молекулы триоксида селена, каковые в простом состоянии несут дополнительные электроны и, так, имеют отрицательный заряд. Прикладывая напряжение с разной полярностью, исследователи смогли поменять заряд структуры, иными словами, ее двоичное состояние.

Заданное состояние структуры в лабораторных условиях держалось в течение не меньше 336 часов (другими словами 14 дней), что разрешило исследователям сказать о новой памяти как об энергонезависимой.

«Применение личных молекул разрешит нам продолжить уменьшение технологического процесса и в теории кроме того преодолеть закон Мура, обучась хранить пара бит данных в одной молекуле», — заявил изданию Wired начальник проекта, доктор наук Университета Глазго Ле Кронин (Lee Cronin).

Преодолевая закон мура: созданы транзисторы размером 1 нанометр
Ученые придумали «транзистор» размером всего 1 нм

Закон Мура был организован одним из основателей Intel Гордоном Муром (Gordon Moore). Он гласит, что количество транзисторов в микросхеме удваивается примерно каждые два года. Но сейчас ученые стали говорить о том, что по мере успехи предельного размера транзисторов данный закон трудиться прекратит.

Разные исследовательские группы в мире ищут методы вынудить закон трудиться дальше.

В это же время, кое-какие задачи перед создателями молекулярной памяти до тех пор пока остаются неразрешенными. Это, например, касается скорости работы памяти для того чтобы типа. К примеру, для создания состояния структуры нужно около 0,1 с, а на чтение состояния структуры — 0,01 с. Оба показателя через чур высоки, дабы сказать об действенном коммерческом применении

Подобные изучения проводились и ранее. В 2013 г. ученые внесли предложение хранить заряд в структуре из графена — наноматериала, представляющего собой двумерную решетку атомов углерода.

Большие корпорации уже давно озабочены приближением к предельно минимальному размеру транзисторов. В 2012 г. инженеры IBM выразили вывод, что со временем транзисторы в микрочипах смогут заменить углеродные нанотрубки.

Увлекательные записи:

Что такое нанометр?


Комментарии и уведомления в настоящее время закрыты..

Комментарии закрыты.