IBM сказала о прорыве в области «кремниевой нанофотоники». Эта разработка разрешает совмещать в чипах оптические компоненты с кремниевыми. Сущность прорыва содержится в том, что исследователям в первый раз удалось создать таковой чип на коммерческом оборудовании.

«Прорыв стал итогам более чем десятилетней работы IBM, — заявил старший вице-директор и президент IBM Research Джон Келли (John Kelly). — Сейчас мы можем переместить данную разработку из стенку лабораторий на фабрики и приступить к выпуску новых микросхем, каковые отыщут использование в разных областях».

За базу был забрал чип, созданный в 2010 г. Тогда ученые сказали, что им удалось сконструировать микросхему, в которой употребляется пульсация света для передачи информации вместо простого электрического тока. Это разрешает существенно повысить скорость обработки информации.

Добавив к стандартной линии по производству полупроводников пара недорогих дополнительных автомобилей, ученые смогли выпустить гибридную микросхему, основанную на передаче света и электрического тока.

Модицифированная производственная линия разрешила интегрировать в микросхему такие оптически элементы, как мультипликаторы с разделением по длинам волн, детекторы и модуляторы — все нужное для передачи информации посредством света.

Для этого была использована существующая линия по производству микросхем на базе разработки широкого применения КМОП (комплементарная логика на транзисторах типа металл-оксид-полупроводник), с применением 90-нм технологической нормы.

Новые чипы практически готовы к выходу на рынок

90-нм норма была выбрана за собственную способность и относительную дешевизну удовлетворить потребности в ближайшее десятилетие, растолковал врач Юрий Власов, начальник проекта Silicon Nanophotonics Project в IBM Research. Он пояснил, что применять меньшую технологическую норму для построения оптических элементов пока не имеет смысла.

«Огромные количества данных передаются по вычислительным сетям фирм, и эти количества продолжают неуклонно возрастать в связи с возникновением услуг и новых приложений, — прокомментировали в IBM. — Готовые к производству чипы на базе кремниевой фотоники окажут помощь совладать с возрастающими требованиями к скорости передачи данных и мощности компьютеров».

По данным IBM, чипы на базе кремниевой нанофотоники способны снабжать скорость передачи данных более чем 25 Гбит/с на канал. А применение мультипликаторов разрешает передачать пара потоков данных по одному волокну. Возможность мультиплексирования в будущем разрешит осуществлять передачу терабайтов данных между удаленными друг от друга вычислительными совокупностями.

Доклад, посвященный новому прорыву, ученые собираются представить в рамках конференции IEEE International Electron Devices Meeting, которая пройдет с 10 по 12 декабря в Сан-Франциско.

Увлекательные записи:

• Опубликованы фотографии iphone 6 и его фирменной коробки
• Опубликованы первые фото флагмана samsung galaxy s8. характеристики
• Опубликованы первые фото мифического планшета от google

Самые ОЖИДАЕМЫЕ серийные авто 2018