Найден «убийца» кремния: полупроводник, пригодный для техпроцесса 0,6 нм

Новые материалы

Исследователи Стэнфордского университета, США, предлагают применять для производства микросхем вместо кремния два вторых соединения — диселениды циркония и гафния. Авторство идеи принадлежит доценту электроинженерии Эрику Попу (Eric Pop) и пост-докторанту Михалу Млечко (Michal Mleczko). Результаты изучения были размещены в издании Science Advances.

Технические изюминки

По словам исследователей, два отысканных полупроводника смогут окисляться и создавать в ходе окисления узкие изолирующие пленки. Толщина микросхемы из диселенидов циркония и гафния, не превышает три атома, другими словами около 0,6-0,7 нм. При с кремнием минимальная толщина схемы образовывает 7 нм, при уменьшении ее до 5 нм схемы перестают быть рабочими.

Пленка, которую создают диселениды циркония и гафния, не испытывает недостаток в намерено нанесенном диэлектрическом покрытии, потому, что она в этом отношении кроме того более проницаема, чем пленка диоксида кремния. Исходя из этого на работу новых схем будет расходоваться меньше энергии, что выразится для конечного потребителя в таких удобствах как уменьшение размера аккумулятора готового устройства и увеличение срока его независимой работы.

Найден «убийца» кремния: полупроводник, пригодный для техпроцесса 0,6 нм

Диселениды циркония и гафния способны заменить кремний в микросхемах

По словам Попа и Млечко, сейчас перед ними стоит три задачи. Первая — подвести электрические контакты к этим сверхтонким схемам. Второе — улучшить контроль над окисленными изоляторами, дабы обеспечивать их стабильность.

Наконец, по окончании решения этих неприятностей возможно будет заняться совмещением новых схем с другими материалами и масштабирования их до готовых к применению транзисторов.

Другие варианты замены кремния

В апреле 2017 г. собственный метод заменить кремний в микросхемах внесли предложение исследователи из Венского технического университета. Они создали процессор, что базируется на двухмерном полупроводнике. В качестве полупроводникового материала был использован дисульфид молибдена.

Чип имеет площадь 0,6 кв. мм. Это однобитный процессор со 115 транзисторами. Процессор может выполнять программы – как за счет встроенной, так и за счет внешней памяти. Производительность процессора возможно расширить методом соединения нескольких таких чипов в одну схему.

По большому счету, это самая сложная схема из 2D-материалов, существующая сейчас, утверждают разработчики.

2D-материалы была названи за весьма маленькую толщину пласта – она достигает всего одного атома. Для электроники это указывает возможность создать чип, что будет прозрачным, эластичным и более энергоэффективным, чем простые процессоры. Двухмерные полупроводники считаются базой для прозрачной и ультратонкой техники будущего.

Увлекательные записи:

тренажер техпроцесса


Комментарии и уведомления в настоящее время закрыты..

Комментарии закрыты.