Компьютерная память станет в 10 раз быстрее

21 февраля 2006

smart

Американская компания Micron Technology заявила о намерении приступить к коммерческому производству многослойных чипов памяти DRAM, каковые будут трудиться на порядок стремительнее если сравнивать с новейшими технологиями хранения информации, говорится в официальном сообщении.

Обращение, например, идет о полупроводниковых элементах называющиеся Micron Hybrid Memory Cube (HMC), складывающихся из нескольких чипов, наложенных друг на друга и соединяющихся вертикальными перемычками.

Разработка соединения отдельных чипов в куб заимствована у корпорации IBM. Она способна обеспечить пропускную свойство 128 ГБ/с если сравнивать с 12,8 ГБ/с, которую способны обеспечить самые производительные современные образцы компьютерной памяти (с интерфейсом DDR3).

Помимо этого, память Micron HMC требует на 70% меньше электричества для собственной работы и занимает на порядок меньше пространства в расчете на единицу емкости если сравнивать с простой современной памятью, сказано в сообщении сторон.

Производить модули планируется на современном заводе IBM в г. Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, США, на базе 32-нм технологической нормы, с применением транзисторов с диэлектриком и металлическим затвором с повышенной диэлектрической проницаемостью (разработка High-K Metal Gate).

Компьютерная память станет в 10 раз быстрее
Компьютерное изображение элемента Micron Hybrid Memory Cube

Предполагается, что на начальной стадии устройства HMC отыщут коммерческое использование в больших системах и вычислительных сетях для высокопроизводительных вычислений, после этого — в промышленной автоматизации, и уже затем — на рынке потребительских ответов.

«Переход к производству 3D-полупроводников — прорыв в индустрии», — увидел научный сотрудник IBM Сабу Лайер (Subu Iyer), добавив, что эта разработка выйдет за пределы производства компьютерной памяти. Он утвержает, чтотрехмерная память разрешит значительно расширить функциональность устройств и продолжить время независимой работы. Она возможно как независимой подробностью устройства, так и подобным образом наложена на центральный процессор (таковой подход уже давно реализуется, к примеру, в процессорах для iPhone и iPad).

Разработка трехмерных полупроводников ведется не первый год. Наряду с этим работа осуществляется в двух направлениях. Одни накладывают чипы друг на друга, как при Micron и IBM, другие — размещают в пространстве конкретно электрическую разводку.

В сентябре 2008 г. исследователи из университета Рочестера, что кроме этого находится в штате Нью-Йорк, объявили, что 3D-процессоры смогут быть на порядок меньше современных чипов и во столько же раз производительнее.

Термин «3D» кроме этого фигурирует в материалах, посвященных процессорам Intel нового поколения, начало производства которых запланировано на конец года. Но их структура так же, как и прежде будет планарной, изменится только конструкция транзисторов.

Напомним, что Intel кроме этого участвует в разработке разработки наложения чипов друг на друга, вместе с IBM и Micron (а с последней у нее имеется кроме того совместное предприятие по выпуску флэш-памяти). В сентябре на конференции Intel Developer Forum представители корпорации демонстрировали прототип трехмерной памяти.

Более подробную данные о памяти, которую планирует выпускать Micron, стороны собираются представить на конференции IEEE International Electron Devices Meeting в будущий понедельник, 5 декабря. В компании ожидают, что продажи памяти начнутся во второй половине 2013 г.