Ваш iPhone трудится скоро? Ваш Mac не зависает и не «тормозит» при работе с ресурсоемкими приложениями? За пара лет мы обучились не задаваться этими вопросами а также на обращать на них внимание, потому, что думаем, что устройства от Apple должны трудиться шустро и без нареканий.

Но в конечном итоге за всей данной производительностью и мощью стоят последние достижения науки и техники, без которых «яблочные» гаджеты не были бы такими, какими мы их знаем.

Одна из таких разработок относится к SSD — твердотельным накопителям, каковые на данный момент Apple устанавливает фактически во все собственные компьютеры. В iPhone и iPad кроме этого употребляется флэш-память. Сущность в том, что в SSD эти сохраняются не на вращающихся дисках (как при с HDD — твёрдыми дисками), а посредством флэш-памяти NAND.

NAND — настоящее чудо современного рынка памяти.

Она хранит данные в массиве ячеек памяти — транзисторах с плавающим затвором. Программирование ячейки происходит следующим образом: на управляющий затвор NAND подается напряжение, по окончании чего электроны начинают перемещение вверх. После этого они преодолевают границу из оксида и достигают плавающего затвора. В то время, когда же вы удаляете какие-либо эти, подается напряжение, электроны начинают обратное перемещение от плавающего затвора через оксид посредством заземления управляющего затвора.

Типы NAND, со своей стороны, подразделяются на SLC, MLC, TLC — эти сокращения обозначают количество бит в ячейке: один, два и три соответственно.

MLC, например, способна хранить вдвое больше информации, чем SLC.

Apple в далеком прошлом применяет NAND в собственных устройствах, и, казалось бы, возможно все так и покинуть, поскольку нареканий к работе флэш-памяти нет. Но в действительности имеется одна неприятность — выносливость. Слой оксида со временем значительно уменьшается из-за активности электронов, и ячейки начинают изнашиваться. Электроны копят отрицательный заряд, застревают, приходится подавать более высокое напряжение, слой оксида значительно уменьшается еще посильнее.

Как раз исходя из этого на данный момент на смену планарной флэш-памяти NAND приходит 3D NAND. Тут нет необходимости подавать высокое напряжение при записи данных, а, следовательно, износ ячеек делается значительно меньше. 3D NAND является цилиндром , верхний слой которого делается управляющим затвором, а внутренний — изолятором. Ячейки находятся приятель под втором, управляющая логика — под массивом памяти. Площадь чипа освобождается для новых ячеек памяти.

на данный момент 3D NAND деятельно развивает Samsung (у нее эта разработка именуется 3D V-NAND), и еще в прошедшем сезоне ходили слухи, что Apple собирается оснастить собственные компьютеры 2016 года новейшей флэш-памятью. А вдруг все пройдет гладко, то и в iPhone с iPad мы с вами ее заметим. Износ уменьшится, и пользоваться собственными любимыми устройствами без обновления мы сможем еще продолжительнее.