Ibm заявила о прорыве в создании «памяти будущего». видео

17 июня 2008

smart

Три бита на ячейку

IBM в первый раз создали пример памяти, основанной на фазовом состоянии вещества, в котором ячейка способна хранить несколько, а целых три бита информации. В корпорации это событие назвали прорывом, поскольку повышение количества информации в одной ячейке фазовой памяти окажет помощь значительно снизить ее цена и стремительнее начать коммерческий выпуск.

Принцип работы

Ячейки в памяти с трансформацией фазового состояния (Phase-Change Memory — PCM) либо легко фазовой памяти изготовлены из вещества, которое может быть в двух молекулярных состояниях — аморфном и кристаллическом. В кристаллическом состоянии вещество имеет большую электрическую проводимость, в то время как в аморфном — минимальную. При подаче на ячейку большого либо среднего напряжения состояние изменяется.

Так в ячейку возможно записывать ноль либо единицу. К примеру, нулем будет аморфное состояние, а единицей — кристаллическое. Либо напротив.

Для чтения информации на ячейку подается маленькое напряжение, что не ведет к трансформации состояния вещества.

Для того чтобы получить возможность записи в ячейку фазовой памяти три бита, исследователи IBM взяли пара стабильных состояний вещества в ячейке (промежуточных фаз) и создали метод определения каждого из таких состояний. Ответственным условием было обеспечить верное измерение состояния при увеличении либо понижении температуры, внешней среды, что воздействует на фазовое состояние вещества. Данный момент был учтен в методе определения состояний, что толерантен к этому трансформации.

Рассказ о достижении IBM

Демонстрация успехи

Фазовая память с тремя битами на ячейку была показана на симпозиуме IEEE International Memory Workshop в Париже. Разработчики выстроили стенд с чипом памяти, содержащим 64 тыс. ячеек. Он был подключен к простой электрической цепи.

По словам исследователей, в лабораторных условиях они протестировали чип на 1 млн циклов перезаписи, по окончании которых состояние вещества оставалось устойчивым и читаемым без неточностей. Тест осуществлялся при разной температуре и ее трансформации.

Область применения

Память, основанная на фазовом состоянии вещества, считается самая вероятной преемницей новейших технологий памяти в вычислительной технике. Наряду с этим принципиально важно подчернуть, что PCM может в один момент заменить и флэш-память, и оперативную память, поскольку владеет особенностями и той, и второй. От первой она унаследовала энергонезависимость, а от второй — долговечность и скорость работы (фазовая память остается работоспособной по окончании 10 млн циклов перезаписи, что приблизительно в 3,3 тыс. раза больше если сравнивать с флэш-памятью).

На фазовой памяти смогут полностью базироваться совокупности хранения данных в организациях. Это разрешит значительно повысить скорость разных операций, к примеру, денежных транзакций. Применение фазовой памяти в персональных компьютерах разрешат сделать так, дабы они включались мгновенно, как смартфоны либо планшеты.

Работа вторых компаний

Разработки в области разработки фазовой памяти ведут множество компаний. Кроме IBM, это Samsung, Intel и др. В 2008 г. Intel в первый раз выпустила образцы чипов фазовой памяти для исследовательских целей.

Они были изготовлены на базе 90-нм технологического процесса и владели емкостью 16 МБ.